n型4H-SiC MOS电容的特性研究

摘要：

本文在n型4H-SiC外延层上,采用H<,2>、O<,2>合成的办法,热生长300A的SiO<,2>层,并制备出Al栅MOS电容,完成了C-V特性的测试和分析工作,根据测试结果得出了SiO<,2>与4H-SiC外延层的界面特性,并计算出n型4H-SiC外延层的掺杂浓度.结果表明H<,2>、O<,2>合成热生长的SiO<,2>与4H-SiC外延层之间具有较好的界面特性,界面态密度较小,n型4H-SiC外延层的掺杂均匀,浓度为1.84×10<”17>/cm<”3>.

关键词： 4H-SiC MOS电容 C-V特性

作者: 宁瑾 刘忠立 高见头

作者单位: 中科院半导体研究所微电子中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 324-327

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）