垂直腔面发射激光器的研制
采用低压金属有机化合物气相外延(L P2MOCVD)生长技术,应用AlAs/AlGaAs选择性湿氮氧化技术技术来实现横向的光、电限制,成功地制备了具有较性能的内腔接触式氧化物限制型的顶发射980nm垂直腔面发射激光器.分析了氧化孔径大小对器件各个性能参数的影响,如氧化孔径越小器件的阈值电流越低,串联电阻越大.我们已制备出可在室温连续工作的器件,其中小氧化孔器件,阈值电流低达0.8mA,工作电流为15mA时,输出功率达3.2mW;大氧化孔器件,阈值电流为5mA,工作电流为35mA时,输出功率达8mW.
垂直腔面发射激光器 AlAs湿法氧化 特性分析 半导体激光器 制备工艺
郭霞 董立闽 达小丽 渠红伟 邓军 杜金玉 邹德恕 沈光地
北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京市光电子技术实验室(北京)
国内会议
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
大连
中文
32-35
2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）