AlN缓冲层TMAl流量对Si(111)上GaN晶体质量的影响

摘要：

在Si(111)上生长六方GaN,一般采用AlN缓冲层技术,一方面可以抑制Si衬底上的Si原子扩散到GaN中形成SiN<,x>,另一方面,可以缓解GaN与Si衬底之间的张应力,从而可以提高GaN外延层的晶体质量.本文进述了影响AlN缓冲层的一些因数以及AlN缓冲层的生长速度对GaN晶体质量的影响.

关键词： GaN AlN缓冲层 晶体质量 生长速度 Si衬底

作者: 伍墨 张宝顺 王建峰 朱建军 杨辉

作者单位: 中国科学院半导体研究所,国家集成光电子研发中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 314-316

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）