AlGaN中应变状态的研究

摘要：

本文用X射线衍射和卢瑟福背散射方法研究了生长在GaN上厚度为570nm的Al<,x>Ga<,1-x>N外延层中的应变状态.实验结果显示AlGaN的共格因子(f<,coh>)在组分小于0.42时随组分的增加而近似线性减小,并且在0.42时达到30﹪,此后随组分的增加变化较慢,在x=1(AlN)时接过0.在本实验条件中,由于GaN层处于压应变状态,导致与AlGaN外延层的失配变小,使得组分约为0.16的Al<,x>Ga<,1-x>N外延层可以共格生长在GaN层上.

关键词： X射线衍射 AlGaN 共格因子 应变状态 卢瑟福背散射

作者: 张纪才 王建峰 王玉田 杨辉

作者单位: 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京) 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京);武汉大学物理系(武汉)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 310-313

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）