AlGaN/GaN异质结构器件极化效应的模拟

摘要：

提出了一种将极化效应引入GaN基异质结器件模拟中的方法.通过在异质结界面插入a掺杂层,利用其离化的施主或受主充当极化产生的固定电荷从而引入极化效应.模拟了Ga面生长和N面生长的AlGaN/GaN单异质结构,模拟结果与文献报道的实验和计算结果一致,说明该方法可有效的将极化效应引入异质结器件的模拟中.

关键词： AlGaN/GaN 异质结器件 极化效应 模拟方法

作者: 李娜 杨辉

作者单位: 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 306-309

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）