AlGaN/GaN基HBTs的高频特性模拟

摘要：

对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性进行了模拟计算,分析了发射区、基区、集电区的一些材料参数对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性的影响.发现基区的设计对频率性能影响很大,减小基区厚度、增大空穴浓度和迁移率将有效提高HBTs的频率性能.

关键词： AlGaN/GaN 截至频率 振荡频率 高频特性 异质结双极晶体管

作者: 冉军学 王晓亮 王翠梅 王军喜 曾一平 李晋闽

作者单位: 中国科学院半导体研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 302-305

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）