以SiC为基的高性能紫外光电探测器

摘要：

用宽禁带半导体n-4H-SiC和金属Au作肖特基接触,Ti、Ni、Ag合金作背底形成欧姆接触,研制出Au/n-4H-SiC肖特基紫外探测器.本文测试分析了器件在高温高压下的光谱响应特性,响应范围在200nm~400nm之间,室温无偏压下,响应峰值在320nm,响应半宽82nm.在高反压下(100V以上)探测器的光谱响应曲线出现了锐上升和锐截止,在260nm—380nm之间有非常平稳的光谱响应;在高温533K无偏压下,紫外响应特性仍然保持良好.

关键词： SiC 光谱响应 紫外探测器

作者: 黄莉敏 谢家纯 梁锦

作者单位: 中国科学技术大学物理系(安徽合肥)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 298-301

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）