N-Al共掺p型ZnO薄膜

摘要：

利用直流反应磁控溅射技术得到N-Al共掺p型ZnO薄膜.结果表明:ZnO中Al的存在显著提高了薄膜中N的掺杂量,从而可以实现具有优良p型传导特性的ZnO薄膜.当Al含量为0.15wt.﹪时,共掺ZnO薄膜的电学性能取得最优值,载流子浓度为2.52×10<”17>cm<”-3>,电阻率28.3Ucm,Hall迁移率0.87cm<”2>/V.s.N-Al共掺p型ZnO薄膜具有高度c轴取向,在可见光区域透射率高达90﹪.

关键词： N-Al共掺 ZnO薄膜 磁控溅射

作者: 吕建国 叶志镇 诸葛飞 曾昱嘉 赵炳辉 朱丽萍

作者单位: 浙江大学,硅材料国家重点实验室(浙江杭州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 291-293

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）