Al—N共掺N<,2>O—O<,2>气氛中制备p型ZnO薄膜

摘要：

本文采用Al·N共掺的方法在N<,2>O-O<,2>气氛中制备p型ZnO薄膜,并讨论了薄膜的电学性能随靶材中铝含量以及气氛中N<,2>O分压比的变化情况.在靶材中铝含量为0.04wt﹪,N<,2>O分压较低以及铝含量0.5wt﹪,N<,2>O分压较高的条件下得到了p型ZnO,而当铝含量增加到2wt﹪时只能得到n型薄膜.随着靶材中铝含量和气氛中N<,2>O分压比的增大,薄膜的迁移率下降.

关键词： ZnO薄膜 p型导电 Al·N共掺 N<,2>O 磁控溅射

作者: 诸葛飞 朱丽萍 叶志镇 马德伟 赵炳辉 张正海 吕建国

作者单位: 浙江大学硅材料国家重点实验室(杭州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 287-290

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）