Cu/、Ni/4H-SiC Schottky势垒的退火研究

摘要：

在4H-SiC样品上采用磁控溅射的方法分别沉积Cu,Ni金属薄膜形成Schottky接触并进行了不同温度下的退火,通过I-V测试研究不同温度退火对Schottky势垒高度以及理想因子的影响.样品经过不同温度的退火后,发现Cu,Ni/4H-SiC的势垒高度(SBH)随退火温度的升高而提高,但超过某一温度(Cu/SiC约500·,Ni/SiC约700·)时,其整流特性变差.测试的结果表明,所制备的金属半导体接触界面比较理想,无强烈费米能级钉扎.样品退火前后在反向偏压100V下,其反向漏电流小于1nA,说明样品的反向特性良好.

关键词： 4H-SiC Schottky势垒高度 退火 磁控溅射

作者: 杨克勤 陈厦平 杨伟锋 吴正云

作者单位: 厦门大学物理系(厦门) 厦门大学物理系(厦门);厦门大学萨本栋微机电中心(厦门)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 279-282

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）