用MOCVD生长GaN基自组装量子点的相关实验及其分析

摘要：

近年来,GaN基相关材料的量子点生长成为半导体材料研究的一个热点,尤其是用MOCVD方法生长GaN基自组装量子点占了相当的比例,因此相关的文献较多,但综述性文章却不多见,鉴于此,本文综述了用MOCVD制备GaN基量子点的不同实验方法,尤其是对对影响量子点生长的实验条件和参数做了比较和分析,希望能够对相关的实验研究工作提供一些参考.

关键词： GaN基量子点 自组装 金属有机化学气相沉积 实验分析

作者: 孟涛 张飒 朱贤方 王占国

作者单位: 纳米技术中心,物理机电工程学院,厦门大学 化学化工学院,厦门大学 半导体材料国家重点实验室,中国科学院半导体研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 275-278

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）