不同晶面6H-SiC MOSFET雪崩击穿的热效应分析

摘要：

本文主要分析了温度和热效应在6H-SiC MOS器件不同晶面上对其击穿特性的影响.当考虑到器件内部热流的影响时,迁移率因具有负温度系数所以漏极饱和电流将会减小,同时内部温度升高则导致器件雪崩击穿的延缓发生.材料自身强烈的各项异性使得在设计功率器件时必须考虑到不同晶面上器件击穿的温度特性,通过研究发现,虽然在不同的晶面上具有不同的击穿电压,但其都具有正温度系数的击穿电压.

关键词： 热效应 雪崩击穿 各向异性 MOS器件 击穿特性 场效应器件 SiC材料

作者: 刘莉 杨银堂 柴常春

作者单位: 西安电子科技大学微电子所(西安)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 271-274

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）