6H-SiC MOSFET沟道热载流子对器件栅特性的影响

摘要：

制约碳化硅MOS器件特性的主要因素是SiO/SiO<,2>的界面特性和栅氧化层的质量,本文主要对6H-SiC MOSFET器件沟道热载流子的产生和其对栅氧化层的注入过程作了较为深入的分析.界面陷阱的存在和薄栅氧化层中电子能量分布较宽使得陷落的电子与栅氧化层碰撞理发离,从而产生电子陷落—空穴湮灭的过程.因此在对器件瞬态电流变化的模拟测试中综合体现了沟道热载子产生和栅氧化层碰撞电离的过程.

关键词： 沟道热载流子 界面陷阱电荷 场效应器件 MOS器件

作者: 刘莉 杨银堂

作者单位: 西安电子科技大学微电子所(西安)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 267-270

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）