LSAT(111)衬底上ZnO单晶薄膜的分子束外延生长

摘要：

利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)法,我们在LSAT(111)衬底上制备ZnO单晶薄膜.对比研究了O等离子体预处理以及金属Zn薄层预沉积等不同衬底预处理工艺对ZnO外延膜的生长过程、外延取向关系以及表面形貌的影响,发现O等离子体预处理法可获得高质量的单一氧极性ZnO薄膜.本文还讨论了生长温度在完全消除ZnO薄膜旋转畴中的作用.

关键词： ZnO单晶薄膜 旋转畴 外延取向 分子束外延生长

作者: 英敏菊 杜小龙 梅增霞 曾兆权 周忠堂 郑浩 袁洪涛 周均铭 贾金锋 薛其坤

作者单位: 中科院物理研究所表面物理国家重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 261-265

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）