Al<,x>Ga<,1-x>N/GaN HEMT二维静态模拟数值方法研究

摘要：

本文通过自洽求解Poisson-Schrodinger方程,实现了对AlGaN/GaN HEMT的二维静态模拟,详细阐述了极化效应及界面极化电荷的数值方法.基于模拟结果,文中给出了异质结导带结构、二维电子气分布和电场特性,并对其做了简要分析与讨论.

关键词： AlGaN/GaN 静态模拟 数值方法 晶体管

作者: 薛丽君 夏洋 王燕 刘明 祃龙 张立辉

作者单位: 中国科学院微电子研究所(北京) 清华大学微电子所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 256-260

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）