VB-GaAs晶体生长技术中掺硅浓度的控制

摘要：

结合VB-GaAs晶体生长工艺、对工艺中掺Si浓度的控制进行了探讨,提出了实际的修正因子.针对不同浓度要求的材料,通过工艺控制可提供满足要求的优质材料.

关键词： GaAs晶体 硅掺杂 晶体生长 浓度控制 半导体材料

作者: 牛沈军 常玉璟 丰梅霞 王建利 兰天平

作者单位: 中国电子科技集团公司第四十六研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 25-27

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）