会议专题

AlGaN/GaN功率HEMTs稳定性分析

本文对基于蓝宝石衬底的AlGaN/GaN HEMTs功率器件自激振荡现象进行了分析,器件的反向增益对器件的稳定性影响较大,稳定性的提高需要从改善封装质量、优化器件设计等方面综合考虑.

AlGaN/GaN 微波功率 稳定性 功率器件 晶体管

邵刚 刘新宇 和致经 刘键 陈晓娟 吴德馨

中国科学院微电子研究所(北京)

国内会议

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

大连

中文

246-250

2004-08-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)