2英寸AlGaN/GaN HEMT工艺研究

摘要：

本文基于国产2英寸AlGaN/GaN材料,对2英寸AlGaN/GaN HEMT工艺进行了研究,成功地开发出成套2英寸AlGaN/GaN HEMT功率器件工艺.其关键工艺技术包括:台面隔离、欧姆接触、钝化、电镀空气桥等技术.经过工艺投片,获得性能良好的AlGaN/GaN HEMT功率器件,器件成品率达到90﹪.

关键词： AlGaN/GaN 功率器件 晶体管 半导体器件 制备工艺

作者: 刘新宇 刘键 魏珂 郑英奎 邵刚 陈晓娟 和致经 王素琴 吴德馨 王晓亮 周均铭

作者单位: 中国科学院微电子所(北京) 中国科学院半导体所(北京) 中国科学院物理研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 240-245

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）