1.6mm AlGaN/GaN HEMT功率器件研制

摘要：

本文首次报道总栅宽为1.6mm AlGaN/GaN HEMT功率器件研制.器件最大源漏电流密度接近1A/mm,器件的跨导最大198ms/mm,开态下的击穿电压超过40伏,器件截止频率19GHz.1.6mm的功率管采用多栅指(二十指)结构,最大源漏电流为1.54安培.利用Cripps方法根据器件的直流DC-IV曲线,估算器件最大输出功率密度都在4.3w/mm以上,预期最大可输出功率为6.9瓦.

关键词： AlGaN/GaN 输出功率 功率器件 半导体器件 晶体管

作者: 刘键 肖冬萍 魏珂 和致经 王润梅 刘新宇 钱鹤 吴德馨 王晓亮

作者单位: 中国科学院微电子所化合物半导体器件及电路实验室(北京) 中国科学院半导体所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 235-239

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）