0.3ìm栅长GaN HEMT器件

摘要：

在国产的GaN/AlGaN外延材料上,通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法,并利用复合胶结构,制作出具有T型栅的GaN HEMT(high-electronic-mobility-transistor)器件,主要对GaN/AlGaN外延材料上0.3微米栅长的实现进行了研究.形成了在该种材料上基本稳定的T型栅制作工艺,获得了较好的器件性能(f<,t>=46GHz;f<,max>=60GHz;g<,m>=230ms/mm).

关键词： 电子束光刻 T型栅 制作工艺 器件性能 GaN晶体管

作者: 郑英奎 和致经 刘新宇 吴德馨 王晓亮 周均铭

作者单位: 中国科学院微电子研究所(北京) 中国科学院物理研究所(北京) 中国科学院半导体研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 231-234

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）