3英寸VB半绝缘砷化镓单晶的研制

摘要：

本文简要介绍了在自制的VB单晶炉上研制3英寸半绝缘砷化镓单晶情况.使用石英-PNB晶体生长系统,通过我们的工艺研究,生长出了半绝缘性能及热稳定性好的非掺半绝缘砷化镓单晶,而且位错密度至少要比LEC工艺低一个量级.

关键词： VB法 位错密度 砷化镓单晶 pBN坩埚 晶体生长 半导体材料

作者: 兰天平 王建利 丰梅霞 常玉璟 牛沈军

作者单位: 中国电子科技集团公司第四十六研究所(天津市)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 21-24

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）