Si衬底上生长GaN基蓝光LED

摘要：

利用LP-MOCVD系统在Si(111)衬底上生长出了高质量的InGaN MQW蓝光LED外延片,X射线双晶测试获得了多级InGaN MQW卫星峰.制成标准管芯后,在正向电流为20mA时,工作电压为4.1V,光功率约1mW,反向电压大于15V,电致发光波长为460nm,半峰宽为30nm,表明本单位已经突破中等亮度的Si基GaN蓝光二极管材料生长及器件制造技术.

关键词： 发光二极管 氮化镓 硅衬底 金属有机化学气相沉淀

作者: 莫春兰 方文卿 刘和初 周毛兴 江风益

作者单位: 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心(南昌)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 212-215

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）