TiAl<,3>和Ti/Ti Al<,3>非合金化电极n型GaN欧姆接触的实现

摘要：

在不进行合金化的情况下,首次直接采用TiAl<,3>合金作为金属电极在n型载流子浓度为2×10<”18>cm<”-3>的GaN上成功得到了比接触电阻率为3×10<”-5>Ωcm<”2>的低接触电阻欧姆接触.与通常的Ti/Al双层结构比较,TiAl<,3>合金结构更容易形成非合金化的n型欧姆接触.进一步分析了N空位和界面层的TiAl<,3>这两种机制在形成非合金或低温退火欧姆接触中发挥的作用,由此设计的Ti/TiAl<,3>/Ni/Au接触结构,在TiAl<,3>合金结构基础上明显地降低了接触电阻率.

关键词： 欧姆接触 GaN TiAl<,3>合金 反应离子刻蚀 比接触电阻率

作者: 明帆 林红斌 胡成余 秦志新 陈志忠 张国义

作者单位: 北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 179-183

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）