PECVD SiC薄膜的制备、应力控制与力学特性研究

摘要：

本文采用PECVD方法进行了SiC的薄膜制备,利用俄歇分析(AES)、X光衍射测试(XRD)、傅利叶红外吸收技术(FTIR)等分析了SiC薄膜的组分和结构组成.利用应力仪和纳米硬度计进行测试,以获取薄膜的力学参数,如应力、模量和硬度等.通过改变薄膜制备工艺条件,如功率、压力、气体流量等,研究工艺对SiC薄膜的应力、折射率、淀积速率等特性的影响.同时,研究了不同温度的退火工艺在改变SiC薄膜应力和组分中的作用,分析了SiC中H的存在对薄膜应力的影响.最终得到了利用PECVD制备低应力SiC薄膜的工艺条件,并成功制备了低应力的SiC薄膜.

关键词： SiC薄膜 折射率 残余应力 应力控制 力学特性 薄膜制备

作者: 王煜 张海霞 田大宇 李素兰 张国炳 郝一龙

作者单位: 北京大学微电子研究院(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 174-178

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）