GaN基准二维八重光子准晶的研制

摘要：

在GaN基多层外延膜结构上利用聚焦Ga离子束(FIB)刻蚀技术研制亚微米尺度的空气柱/Ⅲ族-氮化物的二维八重准晶型光子晶体.在相同的离子加速电压条件下,成功地得到占空比10﹪至40﹪、孔径为80nm至1500nm、深度为90nm至370nm的GaN基准二维八重光子准晶阵列.并将其运用于GaN基发光二极管.

关键词： GaN 光子晶体 离子束刻蚀

作者: 张振生 章蓓 徐军 任谦 杨志坚 经光银 王琦 胡晓东 于彤军 俞大鹏 张国义

作者单位: 北京大学物理学院;人工微结构和介观物理国家重点实验室;北京大学宽禁带半导体中心和纳米结构与低维物理实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 170-173

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）