GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析

摘要：

用MOCVD生长了120周期GaN/Al<,0.14>Ga<,0.86>N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了生长方向清晰的超晶格,及晶胞周期结构,电子衍射也表明我们生长出了质量较好的超晶格样品.在透射电镜图中看到了Al,Ga原子的聚居点,这些聚居点达到应力临界时将可能成为新缺陷的起点.我们观察到GaN缓冲层中的线缺陷大多呈现弯曲的弧形,这是外延生长导致的.

关键词： GaN/AlGaN超晶格 透射电镜分析 线缺陷

作者: 陈伟华 胡晓东 章蓓 黎子兰 潘尧波 胡成余 王琦 陆羽 陆敏 杨志坚 张国义

作者单位: 北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心北京大学物理学院凝聚态和材料物理研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 166-169

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）