AlGaN/GaN MSM紫外探测器结构中肖特基结特性

摘要：

在蓝宝石衬底上,用MOCVD(金属有机物气相沉积)法外延生长AlGaN/GaN异质结样品.溅射Ti/Al/Ni/Au和Ni/Au金属膜,在氮气气氛中高温快速退火,分别与样品形成欧姆接触和肖特基接触,讨论测量获得肖特基的I-V和C-V特性曲线.随着退火时间的延长,MSM(金属-半导体-金属)结构的I-V特性曲线保持良好的对称性,但C-V曲线逐渐失去其对称性.

关键词： AlGaN/GaN MSM 肖特基结特性 紫外探测器 外延生长

作者: 周劲 郝一龙 武国英 杨志坚 张国义

作者单位: 北京大学微电子所 北京大学物理系

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 162-165

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）