三种纵向结构的AlGaN/GaN HFET的性能比较

摘要：

对AlGaN/GaN HFET纵向的常规结构、倒置结构和双异质结的研究结果表明:常规结构的材料生长简单、容易控制、倒置结构的直流性能低于常规结构,而双异质结虽然在材料生长方面较为复杂,但它可以获得较常规结构更为优良的直流特性.

关键词： AlGaN/GaN 倒置结构 双异质结 性能比较 晶体管

作者: 吕长志 冯士维 王东凤 张小玲 谢雪松 何炎 张浩 徐立国 袁明文 李效白 曾庆明

作者单位: 北京工业大学电子信息与控制工程学院(北京) 中国电子科技集团公司第十三研究所(石家庄市)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 158-161

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）