n型4H-SiC欧姆接触特性研究

摘要：

本文主要对不同工艺条件下的NiCr/4H—SiC欧姆接触特性进行对比研究,从而摸索出得到良好欧姆接触的最佳工艺条件,对SiC MESFET器件的实现奠定基础.文中介绍了欧姆接触的工艺流程,并通过TLM方法测量特征接触电阻率,测量NiCr/4H—SiC的最佳特征接触电阻率达到n<,c>=1.24×10<”-5>Ucm<”2>,能够很好的满足SiC MESFET器件的需要.

关键词： SiC材料 欧姆接触 接触电阻率 MESFET 退火 工艺流程

作者: 陈刚

作者单位: 南京电子器件研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 153-157

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）