6英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术研究
半绝缘砷化镓单晶材料具有半绝缘、迁移率高、工作温度高等突出的优点,用它研制和生产出的器件和电路工作频率高、噪声低、功耗低,在高频通信应用领域具有极大的优势,因此,它们不仅成为军工微波、毫米波通信的首选,而且,近几年已在民用移动通信及光纤通信中扮演着不可缺少的重要角色.随着今后通信频率的不断提高,这些材料和器件在超高频领域的作用将会越来越大,有可能成为下一代通信产品的核心技术和市场竞争的焦点.
砷化镓单晶 晶体生长 生长工艺
惠峰 王文军 高永亮 王志宇
中国科学院半导体所
国内会议
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
大连
中文
146-148
2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）