依靠PL谱确定影响RTD性能的势垒临界尺寸

摘要：

在共振隧穿结构(RTS)的PL测试中,随着势垒厚度的减小,阱内发光变化不大,而阱外发光急剧减小,通过比较RTD结构PL谱中阱内外的积分发光强度,我们找到了可以让RTD单管在I-V曲线中出现负阻的势垒临界尺寸.在临界尺寸以下,载流子的输运中隧穿机制将成为主要的过程.

关键词： 共振隧穿二极管 PL测试 积分发光强度 势垒临界尺寸

作者: 张晓昕 岳维松 王小光 曾一平 王保强 朱占平

作者单位: 中科院半导体所新材料部(北京) 北京工业大学计算机学院模式识别与图象处理实验室 中科院上海技物所物理室(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 137-139

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）