低暗电流的正面进光高速InGaAs/InP光电二极管

摘要：

本文介绍一种有很低暗电流正面进光的InGaAs PIN高速光电探测器的设计和制造技术,对于光敏面为Φ40μm、20μm,和Φ12μm的高速光电探测器芯片,测量出其电容分别为173FF、60FF和34FF;-5v反偏暗电流为~0.1nA,1.31um波长响应度为~0.8A/W;装配在载体上测量出到18Gb/s有平坦的响应曲线.

关键词： InGaAs InP 光电探测器 光电二极管 制造技术

作者: 曾庆明 李献杰 蒲运章 乔树允 王全树

作者单位: 中国电子科技集团公司第十三研究所(石家庄市)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 13-15

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）