InP/InGaAs SHBT器件自对准结构设计和工艺实现

摘要：

从InP湿法腐蚀各向异性特性实验出发,实验了传统的基极-发射极自对准工艺和改进的基极-发射极工艺两种InP/InGaAs SHBT自对准结构,比较了两种自对准工艺对减小基极与发射极台面间距的效果,为制作高频率特性InP/InGaAs SHBT提供了工艺途径.

关键词： 自对准工艺 湿法腐蚀 结构设计 基极-发射极 双极晶体管

作者: 李献杰 蔡道民 赵永林 王全树 周州 曾庆明

作者单位: 中国电子科技集团公司第13研究所(石家庄)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 1-3

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）