快速热退火对MBE生长的InGaNAs材料结构的影响

摘要：

本文从系统自由能角度,阐明了MBE生长的InGaNAs材料在高温热退火过程中材料内部的结构变化.在热退火时,In-Ga互扩散和N-As互扩散引起spinodal分解,N原子趋向于与In结合形成In-N键,使InGaNAs材料的带隙增加,从而引起PL谱峰值的蓝移.

关键词： 快速热退火 结构变化 InGaNAs材料 半导体材料 分子外延生长

作者: 张石勇 徐应强 任正伟 牛智川 吴荣汉

作者单位: 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 124-126

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）