化合物半导体太赫兹(THz)发射光谱的研究

摘要：

本文利用反射式太赫兹(THz)辐射产生与探测系统,研究了基于不同半导体的太赫兹(THz)发射光谱.通过快速傅立叶变换(THz),我们由测得的THz时域光谱得到了其相应的频域光谱,从而对不同半导体的THz发射性质进行了比较.结果表明,未掺杂的砷化铟(InAs)较其他半导体有更高效的THz发射本领.

关键词： 半导体 电光取样 发射光谱

作者: 赵国忠 张振伟 崔伟丽 张存林

作者单位: 首都师范大学物理系(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 1-17-1-21

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）