大剂量Mn离子注入GaAs的性质研究

摘要：

室温条件在半绝缘性GaAs衬底上进行了大剂量Mn离子的低能注入,并进行了不同条件的退火.借助于X射线衍射(XRD)和高分辨X射线衍射(HR-XRD)进行了结构分析,经过退火后生成的新相衍射峰增多,根据衬底(004)峰摇摆曲线分析结果退火后更多的Mn离子进入晶格.运用原子力显微镜分析了样品的表面,发现退火后突起的起伏度增加.磁性分析表明,经过退火样品的磁化强度增大.

关键词： 低能注入 砷化镓 X射线衍射 梯度磁强计 Mn离子 半导体材料

作者: 刘志凯 宋书林 陈诺夫 柴春林 尹志岗 杨少延

作者单位: 中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室(北京) 中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室(北京);中国科学院力学研究所国家微重力实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 115-118

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）