AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱增益特性研究
采用Shu Lien Chuang方法计算了AlInGaAs/AlGaAs应变引起价带中重、轻空穴能量变化曲线,在Harrison模型的基础上详细地计算了AlInGaAs/AlGaAs和GaAs/AlGaAs量子阱电子、空穴子能级分布并且进一步研究了这两种材料在不同注入条件下的线性光增益.进一步计算比较可以得出AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱光增益特性要优于GaAs/AlGaAs非应变量子阱增益特性,因此AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱半导体材料应用于半导体激光器比传统GaAs/AlGaAs材料更具优势.
光电子学 应变量子阱 光增益 AlInGaAs 半导体激光器
盖红星 李建军 韩军 邢艳辉 邓军 俞波 沈光地 陈建新
北京工业大学光电子技术实验室(北京)
国内会议
井冈山
中文
85-89
2004-11-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）