应变InGaAs/GaAs量子阱MOCVD生长优化及其在980nm半导体激光器中的应用

摘要：

使用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs980nm量子阱.研究了生长温度,生长速度对量子阱光致发光谱(PL)的影响.并将优化后的量子阱生长条件应用于980nm半导体激光器的研制中,获得了直流工作下,阈值电流为19mA,未镀膜斜率效率为0.6W/A,输出功率在100mV的器件.

关键词： 光电子学 半导体激光器 应变量子阱 金属有机化学气相淀积

作者: 俞波 盖红星 韩军 邓军 邢艳辉 李建军 廉鹏 邹德恕 沈光地

作者单位: 北京工业大学光电子技术实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国基础光学与光物理学术讨论会

会议地点: 井冈山

会议语种:中文

页码: 81-84

在线出版日期: 2004-11-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）