GaAlN/GaN量子阱中电子的激发态极化及其压力效应

摘要：

考虑了纤锌矿结构材料的各向异性造成的内建电场的作用以及各向异性造成的应变张量和静压形变势与各向同性材料的差别.在此基础上计算了GaN/GaAlN量子阱内电子的激发态极化.研究了压力(应变)对电子激发态极化的影响.结果表明,电子势垒高度、电子有效质量和电子激发态极化均随压力线性下降,但由于内建电场的作用造成电子波函数高度局域化,上述变化的幅度不大.

关键词： 光电子学 量子阱 内建电场 激发态极化 静压

作者: 吴晓薇 郭子政 阎祖威

作者单位: 内蒙古农业大学基础课部(内蒙古呼和浩特) 内蒙古大学理工学院物理系(内蒙古呼和浩特);内蒙古师范大学物理系(内蒙古呼和浩特) 内蒙古农业大学基础课部(内蒙古呼和浩特);内蒙古大学理工学院物理系(内蒙古呼和浩特)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国基础光学与光物理学术讨论会

会议地点: 井冈山

会议语种:中文

页码: 75-80

在线出版日期: 2004-11-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）