氮化硅钝化膜的制备和应用

摘要：

利用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积技术在超高频大功率晶体管芯片表面沉积Si<,3>N<,4>钝化膜,实现了芯片的Si<,3>N<,4>薄膜钝化.对钝化前后的芯片测试表明,芯片经钝化后电特性有较好地改善,提高了反向击穿电压,降低了反向漏电流,提高了芯片的成品率.

关键词： 光电子学 ECR-PECVD 氮化硅钝化膜 芯片

作者: 陈俊芳 吴先球 樊双利 王鑫 任兆杏

作者单位: 华南师范大学物理与电信工程学院(广东广州) 中国科学院等离子体物理研究所(安徽合肥)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国基础光学与光物理学术讨论会

会议地点: 井冈山

会议语种:中文

页码: 102-105

在线出版日期: 2004-11-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）