a-Si:H薄膜固相晶化过程中的可逆现象

摘要：

为了获得适合用于多晶硅薄膜太阳电池的多晶硅薄膜,该论文在中温情况下(退火温度在750℃-950℃之间)对传统的固相晶化方法进行了研究.通过Raman光谱分析获得了退火后多晶硅薄膜的结晶度随退火温度、退火时间和升、降温速率的变化规律,并发现了晶化过程中存在有可逆现象.

关键词： 多晶硅薄膜 固相晶化 结晶度 太阳电池

作者: 冯团辉 张宇翔 卢景霄 杨仕娥 陈永生 王海燕

作者单位: 教育部材料物理重点实验室-郑州大学(郑州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2004年中国生物质能技术与可持续发展研讨会

会议地点: 郑州

会议语种:中文

页码: 386-389

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）