具有埋氧层界面电荷的SOI高压器件新结构纵向击穿模型

摘要：

本文建立了具有Si/SiO界面电荷的SOI高压器件新结构纵向耐压模型,该模型表明,在硅和埋氧层界面上引入界面电荷可以克服常规SOI纵向的固有结构缺陷,充分发挥埋氧层的高击穿电场的特性,得到理想的纵向击穿电压.解析结果、仿真结果、试验结果的一致性验证了模型的正确性.本文的工作对优化设计具有埋氧层界面电荷的SOI新高压器件具有理论指导意义.

关键词： 界面电荷 击穿电压 SOI高压器件 耐压模型 数值仿真

作者: 郭宇锋 张波 李肇基 方健

作者单位: 电子科技大学IC设计中心(成都)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电工技术学会电力电子学会2004年第九届学术年会

会议地点: 秦皇岛

会议语种:中文

页码: 66-69

在线出版日期: 2004-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）