改善了反向恢复性能的VDMOSFET的分析研究

摘要：

本文提出一种反向恢复性能改善了的功率VDMOSFET结构.该结构中,在源极金属下的p-body区加做一个n+区以形成三极管(见图6).借助仿真软件ISE(Integrated Systems Engineering)对该器件从工艺到器件特性进行了完整的仿真设计,结果表明:改进了的24V/35A VDMOSFET器件反向恢复电荷降低了36.7﹪以上.

关键词： 反向恢复 寄生体二极管 三极管 VDMOSFET器件 整流电路

作者: 向军利 张波 衡草飞 陈林 曾天志

作者单位: 电子科技大学IC设计中心(成都)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电工技术学会电力电子学会2004年第九届学术年会

会议地点: 秦皇岛

会议语种:中文

页码: 63-65

在线出版日期: 2004-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）