超高速半导体开关RSD的开通特性研究

摘要：

基于反向注入控制RSD的大面积快速均匀开通、可无限串联、功率大、换流效率高、寿命长的特点,新开通机制的RSD将在脉冲功率技术中获得重要应用.本文研究PSD的开通机理和开通条件,为器件开通特性的改进和预充电路的合理设计提供了依据;实验还表明,由小直径RSD的极限电流测试结果,可以用经验公式得到同类结构的任意通流面积RSD脉冲大电流耐量.

关键词： 半导体开关 脉冲功率技术 开通机理 脉冲大电流耐量

作者: 余岳辉 颜家圣 刘玉华 彭昭廉

作者单位: 华中科技大学(湖北武汉) 襄樊台基半导体有限公司(湖北襄樊)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电工技术学会电力电子学会2004年第九届学术年会

会议地点: 秦皇岛

会议语种:中文

页码: 55-58

在线出版日期: 2004-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）