半绝缘多晶硅钝化膜的分析

摘要：

半绝缘多晶硅(SIPOS)膜作为半导体器件的表面钝化膜质量好,性能优.本文对LPCVD法制备的SIPOS膜进行了分析.结果表明,掺氧SIPOS膜的电性能主要与膜中含氧量无关,与膜的其他参数无关.而膜的含氧量只与反应气体SiH<,4>和N<,2>O的流量比有关.因此,通过调整SiH<,4>和N<,2>O的气体流量比,可控制膜中含氧量的大小,继而控制膜的电性能.

关键词： 半绝缘多晶硅 表面钝化 半导体器件 钝化膜 低压化学气相淀积

作者: 彭昭廉 李林

作者单位: 华中科技大学电子科学与技术系(武汉)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电工技术学会电力电子学会2004年第九届学术年会

会议地点: 秦皇岛

会议语种:中文

页码: 53-54

在线出版日期: 2004-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）