锌源温度对MOCVD法氧化锌薄膜生长的影响

摘要：

本文研究了金属有机化学气相沉积(MOCVD)法生长氧化锌薄膜过程中锌源温度对薄膜生长和质量的影响.使用X射线衍射谱(XRD)、室温光荧光谱(PL)和原子力显微镜(AFM)对所生长氧化锌薄膜的晶体质量、光学特性和表面形貌进行了比较与研究.研究显示锌源温度为-19℃时所生长的ZnO薄膜具有较好的综合特性.XRD显示每个样品仅在2θ=34.7°附近有一个很陡峭的ZnO(002)晶面衍射峰,说明所制备的氧化锌薄膜c轴取向高度一致.AFM测试显示样品的表面粗糙度最低可达到9nm.此外,样品的XRD和PL谱分析都表明,锌源温度的变化对氧化锌薄膜内部张应变的影响非常小.

关键词： 金属有机化学气相沉积 锌源温度 薄膜生长 氧化锌薄膜 光学特性 表面形貌

作者: 刘博阳 杜国同 杨小天 赵佰军 张源涛 刘大力 杨树人

作者单位: 吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家联合重点实验室(吉林长春);吉林大学物理学院相干光、原子与分子光谱教育部重点实验室(吉林长春) 吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家联合重点实验室(吉林长春)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 207-211

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）