MOCVD法制备MgZnO合金薄膜

摘要：

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在c面蓝宝石衬底上生长Mg<,x>Zn<,1-x>O合金薄膜.c轴取向的Mg<,x>Zn<,1-x>O薄膜在600-630·温度下沉积.通过X射线衍射和透射光谱研究了薄膜的结构和光学特性.研究表明当x的取值小于等0.39时,合金薄膜保持ZnO的六角形纤锌矿结构,没有观察到MgO分相,此时薄膜的能带宽度可以在3.3eV到3.95eV之间调节.

关键词： 金属有机化学气相沉积 MgZnO合金薄膜 半导体材料 光学特性 薄膜制备

作者: 张源涛 朱慧超 崔勇国 刘大力 杨树人 杜国同

作者单位: 吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子国家重点实验室(吉林省长春市)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 197-201

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）