GaAs衬底上ZnO薄膜的MOCVD生长及特性研究
在GaAs(001)衬底上采用MOCVD方法沉积了ZnO薄膜,并研究了衬底温度和氧气流量对ZnO薄膜结晶性能及光电特性的影响.在610℃,O<,2>流量为130sccm时,ZnO薄膜结晶质量最好,(002)衍射峰半高宽PWHM最低赕0.185°.O<,2>流量增加,薄膜光致发光谱中近带边发射明显增强,深能级峰明显减弱,二者峰强比值最高达53:1.O<,2>流量的增加,也影响着ZnO薄膜的电参数,在610℃,O<,2>流量为180sccm时,薄膜电子迁移率最高,为30.4cm<”2>/Vs,电阻率也最高,为647Ucm,相应载流子浓度最低,为1.2×10<”14>cm<”-3>.
ZnO薄膜 GaAs衬底 生长特性 金属有机化学气相沉程法
马艳 杜国同 殷景志 李万程 刘大力
吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室(吉林长春)
国内会议
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
大连
中文
192-196
2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）