同步辐射x射线研究氧化Au/Ni/p-GaN欧姆接触的形成机制

摘要：

利用同步辐射X射线衍射(XRD),同时运用2è扫描,ù扫描和ù-2è扫描这三种扫描方式研究了p-GaN上的Ni/Au电极在空气下不同温度合金后的微结构的演化,阐释了相应的欧姆接触形成的机制.结合不同温度下比接触电阻(Pc)的变化,研究发现从450℃开始N iO和Au在p-GaN上形成外延结构对降低ρc起到了关键的作用.在500℃时,NiO和Au的外延结构进一步改善,ρc也达到了最低值.当合金温度升高到600℃时,NiO的外延结构被破坏,而Au的外延结构进一步改善.对比600℃下ρc的显著升高,可以说明在较高温度下欧姆接触电学特性退化与NiO的外延结构被破坏有关.

关键词： p-GaN Ni/Au 欧姆接触 比接触电阻 同步辐射 形成机制 X射线衍射

作者: 胡成余 秦志新 陈志忠 杨华 王琦 杨志坚 陈伟华 张国义

作者单位: 人工微结构和介观物理国家重点实验室,宽禁带半导体研究中心,物理学院,北京大学(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 186-191

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）