一种新型650nm的光电探测器

摘要：

主要阐述了一种新型P*PIN结构的硅光电二极管,采用N型硅衬底,经过氧化光刻后,先作一次很薄淡硼扩散,再进行浓硼扩散,这样形成高低发射结的方法,减薄死层厚度,减少光生载流子的复合,以提高光电转换效率.

关键词： 光电探测器 响应度 光电转换

作者: 林聚承 袁祥辉

作者单位: 重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室(重庆)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国仪器仪表学会第六届青年学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 212-214

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）